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behlke快速高压晶体管开关HTS 151-03-GSM

behlke快速高压晶体管开关HTS 151-03-GSM,HTS-GSM系列的开关模块由两个相同的MOSFET开关路径组成,
分别形成所谓的半桥电路推挽电路。两个开关路径都由公共驱动器控制,该公共驱动器还为开关之一提供逻辑信号否定。

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  • 更新时间:2024-04-28
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详细介绍


behlke快速高压晶体管开关HTS 151-03-GSM


HTS-GSM系列的开关模块由两个相同的MOSFET开关路径组成,

分别形成所谓的半桥电路推挽电路。两个开关路径都由公共驱动器

控制,该公共驱动器还为开关之一提供逻辑信号否定。开关是相互

被动锁定的,因此在任何情况下,包括如果控制输入受到电磁干扰

(例如,由于不良的EMC设计),桥中的短路都被排除在外。特

别是在带容性负载的脉冲发生器中,推挽原理比传统的单开关电路

具有很大的优越性。推挽电路不需要大容量的储能电容器来实现低

的脉冲降,而且由于没有工作电阻的功率损耗,推挽脉冲发生器的

效率很高,无论脉冲宽度、频率和占空比如何。脉冲发生器只提取

电流用于对连接的负载电容充电。由于开关的定时非常精确,除了

开关自然电容的峰值充电电流外,电桥中几乎没有交叉电流。


开关是由3至10伏特幅度的正向信号控制的。过频、热过载

(长期过载)和不正确的辅助电源等故障条件将开关路径A

设置为关断状态,而将开关路径B设置为导通状态。故障在

故障信号输出端显示为“L"信号。没有5VDC电源,两个开

关路径(A和B)都处于关闭状态。这意味着,没有5VDC的

输出潜力可能是不确定的,如果高压仍然适用。为了确保在

这种情况下定义的高电压输出电位,上拉或下拉电阻器必须

连接到输出。

behlke快速高压晶体管开关HTS 151-03-GSM


特点

快速过渡时间,上升时间和下降时间~15 ns

从150ns到无穷大的可变脉冲宽度

在脉冲顶部没有脉冲下降和非常低的纹波

无工作电阻电源,缓冲电容小


HTS 151-03-GSM技术参数

最大工作电压 2x15000V

典型击穿电压 2x18000V

最大峰值电流能力 2x30A

最大连续负载电流 2x0.41A

静态导通电阻 2x90Ω

最大离态电流 10μADC

传播延迟时间 150 ns

典型输出转换时间 26 ns

输出脉冲宽度 [ns] 150...∞

最小脉冲间隔 400ns

连续开关频率 10kHz

最大突发频率 2.5MHz

尺寸 163x64x62 mm3

重量 460g


behlke快速高压晶体管开关HTS 151-03-GSM

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